型号 SPD30N06S2-15
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
SPD30N06S2-15 PDF
代理商 SPD30N06S2-15
产品变化通告 Product Discontinuation 05/Jun/2008
标准包装 2,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 14.7 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 52nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2070pF @ 25V
功率 - 最大 136W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 P-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000012477
SPD30N06S215T
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SPD35N10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
SPD35N10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
SPD42R-103M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 10UH SMD
SPD42R-103M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 10UH SMD
SPD42R-103M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 10UH SMD
SPD42R-104M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 100UH SMD
SPD42R-104M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 100UH SMD
SPD42R-104M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 100UH SMD
SPD42R-122M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 1.2UH SMD
SPD42R-122M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 1.2UH SMD
SPD42R-122M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 1.2UH SMD